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IRFI644GPBF相關信息：

類別：分離式半導體產品家庭：MOSFET，GaNFET - 單系列：-FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 特點：標準型開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：280 毫歐 @ 4.7A, 10V漏極至源極電壓(Vdss)：250V電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：7.9AId 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs：68nC @ 10V在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：1300pF @ 25V功率 - 最大：40W安裝類型：通孔封裝/外殼：TO-220-3 全封裝（直引線，隔離式），ITO-220AB 包裝：管件供應商設備封裝：*其它名稱：*IRFI644GPBF

IRFI644GPBF相關資料：

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